常用半导体器件。
1. pn结。
n型半导体：在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为n型半导体。
p型半导体：在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
pn结的形成。
根据扩散原理，空穴要从浓度高的p区向n区扩散，自由电子要从浓度高的n区向p区扩散，并在交界面发生复合，形成载流子极少的正负空间电荷区，也就是pn结，又叫耗尽层。
少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。在一定条件下，多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数载流子的漂移运动则逐渐增强，最后两者达到动态平衡， pn结就处于相对稳定的状态。
pn结具有单向导电的特性：
1）加正向电压——电源正极接p区，负极接n区外电场的方向与内电场方向相反。
外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动→多子扩散形成正向电流i f
2）加反向电压——电源正极接n区，负极接p区外电场的方向与内电场方向相同。
外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动→少子漂移形成反向电流i r
2． 半导体二极管。
二极管的伏安特性曲线。
二极管的主要参数。
最大整流电流if二极管工作时允许通过的最大正向平均电流。
最高反向工作电压ur 二极管工作时允许加的最高反向电压。
反向饱和电流is二极管未击穿时的反向电流。
最高工作频率由结电容决定，信号频率超过此值时，单向导电性将变坏。
二极管的等效电路。
理想模型恒压降模型折线模型。
二极管电路分析：
定性分析：判断二极管的工作状态：导通或截止。
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开，否则，正向管压降硅0.6~0.7v、锗0.2~0.3v
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压ud的正负。
若 ud为正，二极管导通。
若 ud为负，二极管截止。
稳压二极管。
稳压管的工作原理：当二极管反向击穿时，流过二极管的电流可以在很大范围内变化，但电压几乎不变，利用这一性质可以达到稳压的目的。
3．半导体三极管。
发射区--高掺杂，多子浓度高。
基区---低掺杂，多子浓度很低，且很薄。
集电区--结区面积大。
三极管的电流分配关系及放大原理。
放大的条件：发射结正偏，集电结反偏压。
1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流ien 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为iep。 所以发射极电流。
i e =i en + iep
2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成ibn。大部分到达了集电区的边缘。
3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流icn 。
同时集电结区的少子形成漂移电流icbo。
i c = i cn+ i cbo
三极管的共射特性曲线。
输入特性曲线输出特性曲线。
三极管的主要参数：
1． 电流放大系数：
．直流放大系数： ②交流放大系数。
2． 极间反向饱和电流：
．集电极-基极反向饱和电流； ②集电极-发射极反向饱和电流。
3．极限参数：
1． 集电极最大允许电流icm。
2． 集电极——发射极击穿电压buceo。
集电极最大允许功率损耗pcm。
场效应管。场效应管是一种电压控制器件，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。
结型场效应管。
结型场效应管工作原理。
以n沟道为例，工作时栅源间要加反偏压，漏源间要加正偏压（ ugs <0 ，uds >0）
1） 当uds =0时
随着ugs逐渐增加，沟道逐渐变窄，当ugs = up时，沟道全夹断。
2）当uds >0时。
图一：| ugd| 导电沟道较宽，随着uds的增加id线性增大。 图二：| ugd| =up| 在漏极出现预夹断，id不随着uds的增加而增加，趋于饱和。 图三：| ugd| >up| 随着uds的增加，夹断区向源极延伸， id达到饱和。 上面说的太复杂了，简单说一下。1 三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种 载流子。2 三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。...三极管与场效应管的区别