半导体三极管。
半导体三极管的分类。
半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。按照结构工艺分类，有pnp和npn型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3mhz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1w以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
常见的半导体三极管外型见图2.5.1。
电子元器件检测方法（一）
元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。
一、电阻器的检测方法与经验：
1 固定电阻器的检测。
a 将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。
根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。
b 注意：测试时，特别是在测几十kω以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。
2 水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。
3 熔断电阻器的检测。在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。
对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表r×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。
4 电位器的检测。检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。
a 用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。
b 检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测“1”、“2”(或“2”、“3”)两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐渐增大，表头中的指针应平稳移动。
当轴柄旋至极端位置“3”时，阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。
5 正温度系数热敏电阻(ptc)的检测。检测时，用万用表r×1挡，具体可分两步操作：
a 常温检测(室内温度接近25℃)；将两表笔接触ptc热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在±2ω内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。
b 加温检测；在常温测试正常的基础上，即可进行第二步测试—加温检测，将一热源(例如电烙铁)靠近ptc热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大，如是，说明热敏电阻正常，若阻值无变化，说明其性能变劣，不能继续使用。注意不要使热源与ptc热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。
6 负温度系数热敏电阻(ntc)的检测。
1)、测量标称电阻值rt 用万用表测量ntc热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同，即根据ntc热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出rt的实际值。但因ntc热敏电阻对温度很敏感，故测试时应注意以下几点：a rt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行，以保证测试的可信度。
b 测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。c 注意正确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。
2)、估测温度系数αt 先在室温t1下测得电阻值rt1，再用电烙铁作热源，靠近热敏电阻rt，测出电阻值rt2，同时用温度计测出此时热敏电阻rt表面的平均温度t2再进行计算。
7 压敏电阻的检测。用万用表的r×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。
8 光敏电阻的检测。
a 用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。
b 将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减些此值越**明光敏电阻性能越好。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。
c 将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。
共射电流放大系数β。β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
反向击穿电压值u(br)ceo。指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。
最大集电极电流icm。指由于三极管集电极电流ic过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的ic值）。实际管子在工作时超过icm并不一定损坏，但管子的性能将变差。
最大管耗pcm。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的ic与uce的乘积要小于pcm值，反之则可能烧坏管子。
穿透电流iceo。指在三极管基极电流ib=0时，流过集电极的电流ic。它表明基极对集电极电流失控的程度。
小功率硅管的iceo约为0.1ma，锗管的值要比它大1000倍，大功率硅管的iceo约为ma数量级。
特征频率ft。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。 ft的典型值约在100～1000mhz之间，实际工作频率。
2.5.3 半导体器件的命名方法。
1．中国半导体器件的命名法。
根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表2-15。
表2-15 国产半导体器件的型号命名方法。
例如3ad50c表示低频大功率pnp型锗管；3dg6e表示高频小功率npn型硅管。
2. 美国半导体器件命名法。
根据美国电子工业协会（eia）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。
表2-16 美国半导体器件型号的命名法。
例如1n4148表示开关二极管，2n3464表示高频大功率npn型硅管。
日本半导体器件命名法。
日本半导体器件型号共用五部分组成：
例如2sa53表示高频pnp型三极管，1s92表示半导体二极管。
4．欧洲半导体器件命名法。
由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。
表2-18 欧洲半导体器件命名法。
补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。常见的后缀有以下几种。
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