实验报告。
实验名称___fet基本单路 __
课程名称__电子电路计算机辅助分析_
院系部： 电气与电子工程学院专业班级：电子1301
学生姓名：韩辉学号：1131230106
同组人实验台号：
指导教师：高雪莲成绩：
实验日期：华北电力大学。
1、 bjt电路与jfet电路对比：
bjt电路。
ic＝βib
ic＝ievbe，th＝0.7v
输入特性曲线vbe－ib，使vbb变化，vcc不变或在二次扫描中变化。
输出特性曲线vce-ic，使vcc变化，vbb不变或在二次扫描中变化。
转移特性曲线vi－vo。
jfet电路。
id=isig=0a
转移特性曲线vgs－id，vgg变化，vdd不变或在二次扫描中变化。
输出特性曲线vds－id，vdd变化，vgg不变或在二次扫描中变化。
2、 常用fet器件型号：
n：e－mosfet：irf150等。
d－mosfet：bss139\149等(bss129有问题）
p：e－mosfet：m2n6851等。
jfet：j2n3970等。
3、 常用fet偏置电路。
常用的fet偏置电路如下图所示：
图1 常用fet偏置电路1
图2 常用fet偏置电路2
图3 常用fet偏置电路3
图4 常用fet偏置电路4
4、静态工作点的求解方法：①估算法②bias piont分析③**法。
固定偏置放大电路的实验电路图如图8.1.1所示：
图8.1.1 固定偏置放大电路电路图。
利用bias point 方法分析得到的实验结果如图8.1.2所示，其中红色的表示该结点处的电流值，紫色表示该结点处的电压值。
图8.1.2 bias point法实验结果。
分析图8.1.2可知：vdsq=1.857v，idq=8.452ma。
**法分析电路的实验结果如下图8.1.3和8.1.4所示：
图8.1.3 **法分析电路的实验结果。
分析图8.1.3可得：当电源电压vdd的电压值等于12v时，id的值为8.4587ma。
图8.1.4 **法分析电路的实验结果。
分析图8.1.4可得：当电源电压vdd的电压值等于12v时，vdsq的值为1.8574v。
共栅放大电路的实验电路图如图8.2.1所示：
图8.2.1 共栅放大电路电路图。
利用bias point 方法分析得到的实验结果如图8.2.2所示，其中红色的表示该结点处的电流值，紫色表示该结点处的电压值。
图8.2.2 bias point分析法实验结果。
分析图8.2.2可知：vgsq=-1.523v，idq=3.905ma，vds=7.887v，vs=1.523v。
**法分析电路的实验结果如下图8.2.3到8.2.5所示：
图8.2.3 **法分析电路的实验结果。
分析图8.2.3可得：当电源电压vdd的电压值等于18v时，id的值为3.90ma。
图8.2.4 **法分析电路的实验结果。
分析图8.2.4可得：当电源电压vdd的电压值等于18v时，vds的值为7.85v。
图8.2.5 **法分析电路的实验结果。
分析图8.2.5可得：当电源电压vdd的电压值等于18v时，vs的值为1.52v。
分压式偏置放大电路的实验电路图如图8.3.1所示：
图8.3.1 共栅放大电路电路图。
利用bias point 方法分析得到的实验结果如图8.3.2所示，其中红色的表示该结点处的电流值，紫色表示该结点处的电压值。
图8.3.2 bias point分析法实验结果。
分析图8.3.2可知：vgsq=1.778v，idq=53.65ua，vds=23.88v，vs=40.24mv。
**法分析电路的实验结果如下图8.3.3到8.3.6所示：
图8.3.3 **法分析电路的实验结果。
分析图8.3.3可得：当电源电压vcc的电压值等于24v时，vgs的值为1.7375v
图8.3.4 **法分析电路的实验结果。
分析图8.3.4可得：当电源电压vcc的电压值等于24v时，id的值为53.6ua。
图8.3.5 **法分析电路的实验结果。
分析图8.3.5可得：当电源电压vcc的电压值等于24v时，vs的值为40.24mv。