答：gto 为门极可关断晶闸管，是晶闸管的一种派生器件，可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。gto和普通晶闸管一样，是pnpn四层半导体结构，外部也是引出三个极，但是与普通晶闸管不同，gto是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小gto元，这些gto元的阴极和门极则在器件内部并联在一起，这种特殊结构就是为了便于实现门极控制关断而设计的；在设计器件时使较大，这样晶体管v控制灵敏，使得gto易于关断；并且使得更接近于1，这样使gto导通时饱和程度不深，从而为门极控制关断提供了条件。
所述、分别为gto内部两等效晶体管的电流增益。
6．如何防止电力mosfet因静电感应引起的损坏？
答：电力mosfet管的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏，mosfet的输入电容低于泄露电容，当栅极开路时极容易受静电干扰而充上超过正负20v的击穿电压，所以应当防止mosfet因静电感应而引起损坏：
1、一般不用时将其三个电极短接；
2、装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有的仪器外壳必须接地；
3、电路中，栅，源极之间常并联齐纳二极管防止电压过高；
4、漏、源极间也要采用缓冲电路等措施吸收电压。
和电力mosfet的驱动电路各有什么特点？
答：gto：是双极型电流驱动型器件，对触发脉冲前沿的幅值和陡度要求高；整个触发过程中加正门极电流；关断需加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高；关断后门极返回负偏压。
gtr：是双极型电流驱动型器件，使gtr导通的基极电流应使其处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深度饱和区；关断gtr时，施加一定的负基极电流有利于减小关断损耗；关断后应在基射极之间施加一定幅值负偏压。
igbt：是电压驱动型器件，驱动电路要有较小输出电阻，栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大 , 以减小开通和关断损耗；igbt 导通后 , 栅极驱动电路提供给 igbt 的驱动电压和电流要具有足够的幅值维持 igbt 处于饱和状态；关断时施加一定幅值的负驱动电压；关断后门极施加负偏压。
mosfet：是电压驱动型器件，驱动电路要有较小输出电阻；触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度；开通时以低电阻为栅极电容充电，关断时为栅极提供低电阻放电回路，以提高功率mosfet的开关速度；为了使电力mosfet可靠触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压；关断时施加一定幅值的负驱动电压；关断后门极施加负偏压。
8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析rcd缓冲电路中各原件的作用。
答：缓冲电路又称为吸收电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过压、或者过流、，减小器件的开关损耗。
参看课本p39图1-38： v开通时，cs通过rs向v放电，使先上一个台阶，以后因有li，上升速度减慢；v关断时，负载电流通过vds向cs分流，减轻了v的负担，抑制了和过电压。
9.试说明igbt、gtr、gto和电力mosfet各自的优缺点。
答：gtr和gto 是双极型电流驱动器件，通流能力强，但开关速度较低，所需的驱动功率大，驱动电路复杂；电力mosfet是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动电路功率小而且驱动电路简单；igbt综合了gtr和mosfet的优点，开关速度高，开关损耗小，输入阻抗高热稳定性好，所需驱动电路功率小而且驱动电路简单，但igbt开关速度略低于电力mosfet。
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