第一章半导体器件的基础知识

发布 2019-06-20 03:01:55 阅读 2570

一、 填空:

1、 半导体的导电能力随着和条件的不同而发生很大的变化,其中,提高半导体导电能力最有效的办法是。

2叫本征半导体。

3、 半导体可分为___型半导体和___型半导体,前者___是多子是少子。

4、 pn结加时导通,加时截止,这种特性称为性。

5、 pn结的反向击穿可分为___击穿和___击穿,当发生___击穿时,反向电压撤除后,pn结不能恢复单向导电性。

6、 由于管芯结构的不同,二极管可分为___接触型、__接触型、__接触型三种,其中___接触型的二极管pn结面积___适宜半导体在高频检波电路和开关电路,也可以作小电流整流,面接触型和平面型二极管pn结接触面___载流量___适于在___电路中使用。2ap属于___接触型,2cp属于___接触型。二极管的两个主要参数是和使用时不能超过,否则会损坏二极管。

7、 在一定的范围内,反向漏电流与反加的反向电压但随着温度的上升而反向饱和电流越大,管子的性能就越___

8、 硅二极管的死区电压为___v,锗二极管的死区电压为___v

9、 三极管起放大作用的外部条件是。

10、晶体三极管具有电流放大作用的实质是利用___电流实现对电流的控制。

dg8d表示。

3ax31e表示。

12、 三极管的恒流特性表现在区,在饱和区,vce___vbe, 三极管失去___作用,集电结、发射结均___偏。

13、 集---射击穿电压v(br)ceo是指时集电极和发射极间所承受的最大反向电压,使用时,集电极电源电压应___这个数值。

14、 三极管的三种基本联结方式可分为和其中,电压放大倍数小于1的是输入电阻最大的是最小的是既能放大电压也能放大电流的是只能放大电流,但不能放大电压的是。

15、 温度升高时,三极管的共射输入特性曲线将___输出特性曲线将___而且输出特性曲线之间的间隔将___

16、 晶体三极管三个极限参数分别为和。

17、 硅管的饱和压降为___锗管饱和压降为___

18、 半导体中,自由电子带___电,空穴带___电。

19、 晶体管的穿透电流iceo随温度的升高而增大,由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管___所以硅晶体管的比锗晶体管好。

20、 场效应管从结构上分为和两大类,因导电类型的不同可分为___和___两大类。它们的导电能力仅取决于___载流子,所以场效应管又称为单极型三极管。

21、 通常将增强型mos管简写为耗尽型mos管简写为___

22、 n沟道增强型的开启电压vt一定是___值。

23、 结型场效应管是利用电压来影响导电沟道,从而控制电流的大小,绝缘栅型场效应管的栅极电流ig=__输入电阻___

24、 场效应管和普通三极管一样,可以看作是一种受控___源,它是一种控制型的源。

25、 场效应管的突出优点是高,不足之处是低。

25、场效应管的跨导是表征对控制能力的重要参数。

26、焊接场效应管时,电烙铁必须或焊接时一般先焊___极,再焊___极,最后焊___极。

27、存放绝缘栅场效应管时,要将以防使栅极击穿。

28、对于___场效应管不允许使用万用表来检测,否则可能造成对于___场效应管可以用万用表来检测。

29、场效应管放大电路具有___的输入电阻,通常应用在多级放大器的___级。

二、是非题 (对的打√ ,错的打)

1、在半导体内部,电子和空穴都是载流子。

2、在p型半导体中,只有空穴参与导电。

3、 晶体二极管击穿后立即烧毁。

4、pn结存在着结电容。

5、mosfet存放时,栅极应与源极短接。

6、n沟道增强型的场效应管vgs不仅可以取负值,取正值和零值均能正常工作。

7、绝缘栅型场效应管的输入电阻在10ω以上。

8、mosfet放大级对前级的放大能力影响极小。

9、在晶体三极管中,集电区的掺杂浓度低,体积大,发射区的掺杂浓度高,体积小,基区的厚度很小且掺杂浓度很低。

10、场效应管也有电压放大作用。

11、用指针式的万用表的不同欧姆档测量同一个二极管的正向电阻时,测得的阻值完全相同( )

12、晶体三极管发射结和集电结相当于两个二极管反向连接,所以,可以用二只二极管来代替三极管的使用。

13、在三极管放大电路中,基极永远不能作为输出端。

14、在晶体管的放大区,它的直流和交流β近似相等。

15、在本征半导体中,掺入微量元素磷,就得到n型半导体。

16、晶体管的β越大越好( )

17、n型半导体的多数载流子是电子,因此n型半导体带负电。

18、在外电场的作用下,半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。

19、在如图所示的电路中,断开或接上二极管v对电流表a的读数没有影响。

20、有一个晶体管接在电路中,今测得它的三个管脚电位分别为-9v、-6v和-6.2v,说明这个晶体管是pnp管。

21、晶体管的集电极—发射极击穿电压bvceo的值同工作温度有关,温度越高,bvceo越大---

22、温度升高时,二极管的正向压降减小。

23、二极管正向动态电阻的大小,随流过二极管电流的变化而变化,是不固定的。

24、场效应管的放大能力不能像晶体管一样,用电流放大系数表示,而是用动态跨导gm表示的( )

26、 mos管出厂包装或使用前都要保持栅源间处于断路状态。

三、选择。1、设有图示二极管在工作的情况下,电流流向只能是。

a : a端流出,b端流入

b : a端流入,b端流出。

2、在以下电路中,若二极管的最大整流电流icm=1a,能正常工作的是。

abc3、三极管集电极最大允许电流icm是。

a 可能是烧坏管子的集电极电流。

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