1．名词解释：
相干散射（汤姆逊散射）：入射线光子与原子内受核束缚较紧的电子（如内层电子）发生弹性碰撞作用，仅其运动方向改变而没有能量改变的散射。又称弹性散射；
不相干散射（康普顿散射）：入射线光子与原子内受核束缚较弱的电子（如外层电子）或晶体中自由电子发生非弹性碰撞作用，在光子运动方向改变的同时有能量损失的散射。又称非弹性散射；
荧光辐射：物质微粒受电磁辐射激发（光致激发）后辐射跃迁发射的光子（二次光子）称为荧光或磷光，吸收一次光子与发射二次光子之间延误时间很短（10-8~10-4s）称荧光，延误时间较长（10-4~10s）则为磷光；（有待确定）
俄歇效应：如原子的退激发不以发射x射线的方式进行则将以发射俄歇电子的德方式进行，此过程称俄歇过程或俄歇效应；
吸收限：当入射x射线光子能量达到某一阈值可击出物质原子内层电子时，产生光电效应。与此能量阈值相应的波长称为物质的吸收限。
晶面指数与晶向指数：为了表示晶向和晶面的空间取向（方位），采用统一的标识，称为晶向指数和晶面指数；
晶带：晶体中平行于同一晶向的所有晶面的总体。
干涉面：晶面间距为dhkl/n、干涉指数为nh、 nk、 nl的假想晶面称为干涉面。
x射线散射：
x射线衍射：
x射线反射：
结构因子：晶胞沿（hkl）面反射方向的散射波即衍射波fhkl是晶胞所含各原子相应方向上散射波的合成波，表征了晶胞的衍射强度；
多重因子：通常将同一晶面族中等同晶面组数p称为衍射强度的多重性因数。
罗仑兹因子：
系统消光：因︱f︱2=0而使衍射线消失的现象称为系统消光。
2．讨论下列各组概念中二者之间的关系：
1）同一物质的吸收谱和发射谱；
答：当构成物质的分子或原子受到激发而发光，产生的光谱称为发射光谱，发射光谱的谱线与组成物质的元素及其外围电子的结构有关。吸收光谱是指光通过物质被吸收后的光谱，吸收光谱则决定于物质的化学结构，与分子中的双键有关。
2）x射线管靶材的发射谱与其配用的滤波片的吸收谱。
答：可以选择λk刚好位于辐射源的kα和kβ之间的金属薄片作为滤光片，放在x射线源和试样之间。这时滤光片对kβ射线强烈吸收，而对kα吸收却少。
3．x射线的本质是什么？
答：x射线是一种电磁波，有明显的波粒二象性。
4．如何选用滤波片的材料？如何选用x射线管的材料？
答：选择λk刚好位于辐射源的kα和kβ之间的金属薄片作为滤光片，滤波片是根据靶元素确定的。经验规律：
当靶固定后应满足当z靶<40时，则z片=z靶–1；当z靶≥40时，则z片=z靶 –2；
若试样的k系吸收限为λk，应选择靶的kα波长稍大于并尽量靠近λk，这样不产生荧光，并且吸收又最小。 经验公式：z靶 ≤z试样+1。
5．实验中选择x射线管以及滤波片的原则是什么？已知一个以fe为主要成分的样品，试选择合适的x射线管和合适的滤波片。
答：实验中选择x射线管的原则是为避免或减少产生荧光辐射，应当避免使用比样品中主元素的原子序数大2~6（尤其是2）的材料作靶材的x射线管。
选择滤波片的原则是x射线分析中，在x射线管与样品之间一个滤波片，以滤掉kβ线。滤波片的材料依靶的材料而定，一般采用比靶材的原子序数小1或2的材料。
以分析以铁为主的样品，应该选用co或fe靶的x射线管，同时选用fe和mn为滤波片。
6．试画出下列晶向及晶面（均属立方晶系）：[111]，[121]，[21]，（00），[110]，（123），（21）。
答：（晶面），[晶向]，图见书16页。
7．下面是某立方晶系物质的几个晶面，试将它们的面间距从大到小按次序重新排列：（12），（100），（200），（11），（121），（111），（10），（220），（130），（030），（21），（110）。
答：，它们的面间距从大到小按次序是：（100）、（110）、（111）、（200）、（10）、（121）、（220）、（21）、（030）、（130）、（11）、（12）。
8．证明（）、晶面属于[111]晶带。
答：已知一个晶面 (hkl) 和它所属的晶带[uvw]，根据解析几何中直线与平面的关系，从很容易得到二者之间的关系：hu+kv+lw=0通常把这个关系式称为晶带定律。
9．判别下列哪些晶面属于[11]晶带：（0），（1），（231），（211），（01），（13），（12），（12），（01），（212）。
答：公式如8题。
10．晶面（110）、（311）、（132）是否属于同一晶带？晶带轴是什么？再指出属于这个晶带的其他几个晶面。
答：公式如8题，貌似题目有问题。
11．试计算（11）及（2）的共同晶带轴。
答：公式如8题，[112]
12．试述布拉格公式2dhklsinθ=λ中各参数的含义，以及该公式有哪些应用？
答：dhkl表示hkl晶面的面间间距，θ角表示掠过角或布拉格角，即入射x射线或衍射线与面间间的夹角，λ表示入射x射线的波长。
该公式有二个方面用途：（1）已知晶体的d值。通过测量θ，求特征x射线的λ，并通过λ判断产生特征x射线的元素。
这主要应用于x射线荧光光谱仪和电子探针中。（2）已知入射x射线的波长， 通过测量θ，求晶面间距。并通过晶面间距，测定晶体结构或进行物相分析。
13．当波长为λ的x射线在晶体上发生衍射时，相邻两个（hkl）晶面衍射线的波程差是多少？相邻两个hkl干涉面的波程差又是多少？
答：当波长为λ的x射线照射到晶体上发生衍射，相邻两个（hkl）晶面的波程差是nλ，相邻两个（hkl）晶面的波程差是λ
14．“一束x射线照射一个原子列（一维晶体），只有镜面反射方向上才有可能产生衍射线”，此种说法是否正确？
答：不正确，因为一束x射线照射一个原子列上，原子列上每个原子受迫都会形成新的x射线源向四周发射与入射光波长一致的新的x射线，只要符合光的干涉三个条件（光程差是波长的整数倍），不同点光源间发出的x射线都可产生干涉和衍射。镜面反射，其光程差为零，是特殊情况。
15．α-fe属立方晶系，点阵参数a=0.2866nm。如用crkαx射线（λ=0.2291nm）照射，试求（110）、（200）及（211）可发生衍射的掠射角。
答：，2dhklsinθ=λ得θ
16．原子散射因数的物理意义是什么？某元素的原子散射因数与其原子序数有何关系？
答：原子散射因数f 是以一个电子散射波的振幅为度量单位的一个原子散射波的振幅。也称原子散射波振幅。
它表示一个原子在某一方向上散射波的振幅是一个电子在相同条件下散射波振幅的f倍。它反映了原子将x射线向某一个方向散射时的散射效率。
原子散射因数与其原子序数有何关系，z越大，f 越大。因此，重原子对x射线散射的能力比轻原子要强。
17．总结简单点阵、体心点阵和面心点阵衍射线的系统消光规律。
答：简单点阵不存在系统消光，体心点阵衍射线的系统消光规律是(h+k+l)偶数时出现反射，(h+k+l)奇数时消光。
面心点阵衍射线的系统消光规律是h,k,l全奇或全偶出现反射，h,k,l有奇有偶时消光。
18．洛伦兹因数是表示什么对衍射强度的影响？其表达式是综合了哪几个方面考虑而得出的？
答：罗仑兹因数是三种几何因子对衍射强度的影响，第一种几何因子表示衍射的晶粒大小对衍射强度的影响，罗仑兹第二种几何因子表示晶粒数目对衍射强度的影响，罗仑兹第三种几何因子表示衍射线位置对衍射强度的影响。
19．试述衍射强度公式中各参数的含义？
答：x射线衍射强度的公式。
式中各参数的含义是：i0为入射x射线的强度；λ为入射x射线的波长；r为试样到观测点之间的距离；v为被照射晶体的体积；vc为单位晶胞体积；p为多重性因子，表示等晶面个数对衍射强度的影响因子；f为结构因子，反映晶体结构中原子位置、种类和个数对晶面的影响因子；a(θ)为吸收因子，圆筒状试样的吸收因子与布拉格角、试样的线吸收系数μl和试样圆柱体的半径有关；平板状试样吸收因子与μ有关，而与θ角无关。φ(为角因子，反映样品中参与衍射的晶粒大小，晶粒数目和衍射线位置对衍射强度的影响；e-2m为温度因子。
20．某斜方晶体晶胞含有两个同类原子，坐标位置分别为：（，1）和（，，该晶体属何种布拉菲点阵？写出该晶体（100）、（110）、（211）、（221）等晶面反射线f2值。
答：f=fe2pi i（3/4h+3/4k+l）+fe2pi i（1/4h+1/4k+1/2l）
100),f=0, f2=0;(110),f=-2f, f2=4f2;(211),f=2f, f2=4f2;(221),f=0, f2=0
21．说明原子散射因子、结构因子f、结构振幅各自的物理意义。
答：原子散射因子：原子散射振幅与电子散射波振幅之比f=e_a/e_e
结构因子：晶胞所含个原子相应方向上散射波的合成波。
结构振幅：晶胞散射波幅和电子散射波幅振幅之比│f│=e_b/e_e
干涉函数：小晶体散射波强度与晶胞散射波强度之比│g│^2=i_m/i_b
22．金刚石晶体属面心立方点阵，每个晶胞含8个原子，坐标为：（0，0，0）、（0）、（0，）、0原子散射因子a，求其系统消光规律（f2最简表达式），并据此说明结构消光的概念。
答： =式中|fs|为晶体点阵中各结点的结构振幅，|fc| 为晶胞的结构振幅。由上式可知，|fs|2=0 或|fc|2=0均可使|f(hkl)|2=0，从而使上式晶体衍射线强度ic为零，这种满足布喇格方程条件但衍射线强度为零的现象称之为消光。
晶体所属的点阵类型不同，使|fc|2=0的h、k、l指数规律不同。点阵相同，结构不同的晶体，|fc|2=0的指数规律相同，但|fs|2=0的指数规律不同，所以，称|fc|2=0的条件为点阵消光条件；|f(hkl)|2=0的条件为结构消光条件。
实际晶体中，位于阵点上的结构基元若非由一个原子组成，则结构基元内各原子散射波间相互干涉也可能产生f2=0的现象。此种在点阵消光的基础上，因结构基元内原子位置不同而进一步产生的附加消光现象，称为结构消光（补充）。
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